ສະພາບແວດລ້ອມທີ່ລະອຽດອ່ອນແລະຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກ

ໃນເອກະສານສະບັບນີ້, ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວແລະກົນໄກຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກໄດ້ຖືກສຶກສາແລະສະພາບແວດລ້ອມທີ່ລະອຽດອ່ອນຂອງພວກມັນໄດ້ຖືກມອບໃຫ້ເພື່ອສະຫນອງການອ້າງອີງບາງຢ່າງສໍາລັບການອອກແບບຜະລິດຕະພັນເອເລັກໂຕຣນິກ.
1. ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອົງປະກອບປົກກະຕິ
ເລກລໍາດັບ
ຊື່ອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກ
ໂໝດຄວາມລົ້ມເຫຼວທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບສະພາບແວດລ້ອມ
ຄວາມກົດດັນດ້ານສິ່ງແວດລ້ອມ

1. ອົງປະກອບກົນຈັກໄຟຟ້າ
ການສັ່ນສະເທືອນເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມເຫນື່ອຍລ້າຂອງ coils ແລະ loosening ຂອງສາຍ.
ການສັ່ນສະເທືອນ, ຊ໊ອກ

2. ອຸປະກອນໄມໂຄເວບ semiconductor
ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ສູງ​ແລະ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ຊ໊ອກ​ນໍາ​ໄປ​ສູ່​ການ delamination ໃນ​ການ​ໂຕ້​ຕອບ​ລະ​ຫວ່າງ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ການ​ຫຸ້ມ​ຫໍ່​ແລະ​ຊິບ​ໄດ້​, ແລະ​ລະ​ຫວ່າງ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ການ​ຫຸ້ມ​ຫໍ່​ແລະ​ການ​ໂຕ້​ຕອບ​ຜູ້​ຖື chip ຂອງ monolith microwave ພາດ​ສະ​ຕິກ​ປະ​ທັບ​ຕາ​.
ອຸນຫະພູມສູງ, ຊ໊ອກອຸນຫະພູມ

3. ວົງຈອນປະສົມປະສານແບບປະສົມ
ການຊ໊ອກນໍາໄປສູ່ການແຕກຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນເຊລາມິກ, ການຊ໊ອກອຸນຫະພູມນໍາໄປສູ່ການແຕກຂອງ electrode ປາຍ capacitor, ແລະວົງຈອນອຸນຫະພູມນໍາໄປສູ່ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ solder.
ອາການຊ໊ອກ, ວົງຈອນອຸນຫະພູມ

4. ອຸປະກອນແຍກແລະວົງຈອນປະສົມປະສານ
ການທໍາລາຍຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການເຊື່ອມໂລຫະຊິບ, ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການເຊື່ອມໂລຫະພາຍໃນ, ການຊ໊ອກນໍາໄປສູ່ການແຕກແຍກຂອງຊັ້ນ passivation.
ອຸນຫະພູມສູງ, ຊ໊ອກ, ການສັ່ນສະເທືອນ

5. ອົງປະກອບຕ້ານທານ
rupture substrate ຫຼັກ, rupture ຟິມຕ້ານທານ, breakage ນໍາ
ອາການຊ໊ອກ, ອຸນຫະພູມສູງແລະຕ່ໍາ

6. ວົງຈອນລະດັບກະດານ
ກະດູກ solder Cracked, ຮອຍແຕກຮູທອງແດງ.
ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ສູງ

7. ສູນຍາກາດໄຟຟ້າ
ກະດູກຫັກຂອງຄວາມເມື່ອຍລ້າຂອງສາຍຮ້ອນ.
ການສັ່ນສະເທືອນ
2, ການວິເຄາະກົນໄກຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອົງປະກອບປົກກະຕິ
ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອົງປະກອບອີເລັກໂທຣນິກບໍ່ແມ່ນອັນດຽວ, ມີພຽງແຕ່ສ່ວນທີ່ເປັນຕົວແທນຂອງອົງປະກອບທົ່ວໄປທີ່ລະອຽດອ່ອນການວິເຄາະຄວາມທົນທານຕໍ່ສະພາບແວດລ້ອມ, ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຂໍ້ສະຫຼຸບທົ່ວໄປຫຼາຍຂຶ້ນ.
2.1 ອົງປະກອບກົນຈັກໄຟຟ້າ
ອົງປະກອບເຄື່ອງກົນໄຟຟ້າທົ່ວໄປປະກອບມີຕົວເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າ, ລີເລ, ແລະອື່ນໆ ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວໄດ້ຖືກວິເຄາະຢ່າງເລິກເຊິ່ງກັບໂຄງສ້າງຂອງອົງປະກອບສອງປະເພດຕາມລໍາດັບ.

1) ຕົວເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າ
ເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າໂດຍແກະ, insulator ແລະຮ່າງກາຍຕິດຕໍ່ຂອງສາມຫນ່ວຍພື້ນຖານ, ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວແມ່ນສະຫຼຸບໃນຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການຕິດຕໍ່, ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ insulation ແລະຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງກົນຈັກຂອງສາມຮູບແບບຂອງຄວາມລົ້ມເຫຼວ.ຮູບແບບຕົ້ນຕໍຂອງຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າສໍາລັບຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການຕິດຕໍ່, ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການປະຕິບັດຂອງມັນ: ການຕິດຕໍ່ກ່ຽວກັບການພັກຜ່ອນທັນທີແລະການຕໍ່ຕ້ານການຕິດຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.ສໍາລັບຕົວເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າ, ເນື່ອງຈາກການມີຢູ່ຂອງຄວາມຕ້ານທານການຕິດຕໍ່ແລະຄວາມຕ້ານທານຂອງ conductor ວັດສະດຸ, ເມື່ອມີກະແສໄຟຟ້າຜ່ານຕົວເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າ, ການຕໍ່ຕ້ານການຕິດຕໍ່ແລະຄວາມຕ້ານທານຂອງ conductor ໂລຫະຈະສ້າງຄວາມຮ້ອນ Joule, ຄວາມຮ້ອນ Joule ຈະເພີ່ມຄວາມຮ້ອນ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງຄວາມຮ້ອນ. ອຸນຫະພູມຂອງຈຸດຕິດຕໍ່, ອຸນຫະພູມຈຸດຕິດຕໍ່ທີ່ສູງເກີນໄປຈະເຮັດໃຫ້ຫນ້າດິນຂອງໂລຫະອ່ອນລົງ, ການລະລາຍຫຼືແມ້ກະທັ້ງການຕົ້ມ, ແຕ່ຍັງເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານການຕິດຕໍ່, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການຕິດຕໍ່..ໃນພາລະບົດບາດຂອງສະພາບແວດລ້ອມອຸນຫະພູມສູງ, ພາກສ່ວນຕິດຕໍ່ຍັງຈະປະກົດ creep, ເຮັດໃຫ້ຄວາມກົດດັນການຕິດຕໍ່ລະຫວ່າງພາກສ່ວນຕິດຕໍ່ຫຼຸດລົງ.ເມື່ອຄວາມກົດດັນຂອງການຕິດຕໍ່ຖືກຫຼຸດລົງໃນລະດັບໃດຫນຶ່ງ, ຄວາມຕ້ານທານການຕິດຕໍ່ຈະເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ແລະສຸດທ້າຍເຮັດໃຫ້ການຕິດຕໍ່ໄຟຟ້າທີ່ບໍ່ດີ, ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການຕິດຕໍ່.

ໃນອີກດ້ານຫນຶ່ງ, ຕົວເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າໃນການເກັບຮັກສາ, ການຂົນສົ່ງແລະການເຮັດວຽກ, ຈະຂຶ້ນກັບຄວາມຫລາກຫລາຍຂອງການໂຫຼດ vibration ແລະຜົນກະທົບ, ໃນເວລາທີ່ຄວາມຖີ່ຂອງການສັ່ນສະເທືອນຂອງ excitation load ພາຍນອກແລະອຸປະກອນເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າໃກ້ກັບຄວາມຖີ່ຂອງປະກົດຂຶ້ນ, ຈະເຮັດໃຫ້ການເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າ resonance. ປະກົດການ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ຊ່ອງຫວ່າງລະຫວ່າງຕ່ອນຕິດຕໍ່ກາຍເປັນຂະຫນາດໃຫຍ່, ຊ່ອງຫວ່າງເພີ່ມຂຶ້ນໃນລະດັບໃດຫນຶ່ງ, ຄວາມກົດດັນການຕິດຕໍ່ຈະຫາຍໄປທັນທີທັນໃດ, ເຮັດໃຫ້ເກີດການຕິດຕໍ່ໄຟຟ້າ "ພັກຜ່ອນທັນທີ".ໃນການສັ່ນສະເທືອນ, ການໂຫຼດຊ໊ອກ, ຕົວເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າຈະສ້າງຄວາມກົດດັນພາຍໃນ, ເມື່ອຄວາມກົດດັນເກີນຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງວັດສະດຸ, ຈະເຮັດໃຫ້ວັດສະດຸເສຍຫາຍແລະກະດູກຫັກ;ໃນພາລະບົດບາດຂອງຄວາມກົດດັນໃນໄລຍະຍາວນີ້, ອຸປະກອນການຍັງຈະເກີດຄວາມເສຍຫາຍ fatigue, ແລະສຸດທ້າຍເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມລົ້ມເຫຼວ.

2) Relay
ລີເລແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າໂດຍທົ່ວໄປປະກອບດ້ວຍແກນ, ທໍ່, armatures, ຕິດຕໍ່ພົວພັນ, reed ແລະອື່ນໆ.ຕາບໃດທີ່ແຮງດັນທີ່ແນ່ນອນຖືກເພີ່ມໃສ່ທັງສອງສົ້ນຂອງທໍ່, ກະແສໄຟຟ້າທີ່ແນ່ນອນຈະໄຫຼໃນຫລອດ, ດັ່ງນັ້ນການຜະລິດຜົນກະທົບຂອງແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າ, ຝາອັດປາກມົດລູກຈະເອົາຊະນະແຮງດັນໄຟຟ້າເພື່ອກັບຄືນສູ່ພາກຮຽນ spring ດຶງກັບຫຼັກ, ເຊິ່ງ. ໃນທາງກັບກັນເຮັດໃຫ້ການຕິດຕໍ່ເຄື່ອນຍ້າຍຂອງ armature ແລະຕິດຕໍ່ພົວພັນຄົງທີ່ (ປົກກະຕິການຕິດຕໍ່ເປີດ) ປິດ.ໃນເວລາທີ່ coil ແມ່ນ powered, ຜົນບັງຄັບໃຊ້ການດູດແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າຍັງຫາຍໄປ, armature ຈະກັບຄືນໄປຕໍາແຫນ່ງຕົ້ນສະບັບພາຍໃຕ້ຜົນບັງຄັບໃຊ້ປະຕິກິລິຍາຂອງພາກຮຽນ spring ໄດ້, ດັ່ງນັ້ນການຕິດຕໍ່ເຄື່ອນຍ້າຍແລະການຕິດຕໍ່ static ຕົ້ນສະບັບ (ປົກກະຕິປິດການຕິດຕໍ່) suction.ການດູດຊືມແລະການປ່ອຍຕົວນີ້, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງບັນລຸຈຸດປະສົງຂອງການດໍາເນີນການແລະຕັດອອກໃນວົງຈອນ.
ຮູບແບບຕົ້ນຕໍຂອງຄວາມລົ້ມເຫຼວໂດຍລວມຂອງ relay ແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າແມ່ນ: relay ເປີດປົກກະຕິ, relay ປິດປົກກະຕິ, relay ການເຄື່ອນໄຫວພາກຮຽນ spring ແບບເຄື່ອນໄຫວບໍ່ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການ, ການປິດການຕິດຕໍ່ຫຼັງຈາກພາລາມິເຕີໄຟຟ້າ relay ເກີນຄວາມທຸກຍາກ.ເນື່ອງຈາກການຂາດແຄນຂະບວນການຜະລິດ relay ແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າ, ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ relay ແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າຈໍານວນຫຼາຍໃນຂະບວນການຜະລິດເພື່ອຈັດວາງຄຸນນະພາບຂອງອັນຕະລາຍທີ່ເຊື່ອງໄວ້, ເຊັ່ນ: ໄລຍະເວລາການບັນເທົາຄວາມກົດດັນກົນຈັກສັ້ນເກີນໄປສົ່ງຜົນໃຫ້ໂຄງສ້າງກົນຈັກຫຼັງຈາກພາກສ່ວນ molding ຜິດປົກກະຕິ, ການໂຍກຍ້າຍ residue ແມ່ນບໍ່ຫມົດ. ຜົນໄດ້ຮັບໃນການທົດສອບ PIND ລົ້ມເຫລວຫຼືແມ້ກະທັ້ງຄວາມລົ້ມເຫຼວ, ການທົດສອບໂຮງງານຜະລິດແລະການນໍາໃຊ້ຂອງການກວດສອບແມ່ນບໍ່ເຄັ່ງຄັດດັ່ງນັ້ນຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອຸປະກອນເຂົ້າໄປໃນການນໍາໃຊ້, ແລະອື່ນໆ. ສະພາບແວດລ້ອມຜົນກະທົບມີແນວໂນ້ມທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ເກີດການຜິດປົກກະຕິພາດສະຕິກຂອງຕິດຕໍ່ພົວພັນໂລຫະ, ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ relay.ໃນການອອກແບບອຸປະກອນທີ່ບັນຈຸ Relay, ມັນຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ສຸມໃສ່ການປັບສະພາບແວດລ້ອມຜົນກະທົບທີ່ຈະພິຈາລະນາ.

2.2 ອົງປະກອບໄມໂຄເວບ semiconductor
ອຸປະກອນ semiconductor ໄມໂຄເວຟແມ່ນອົງປະກອບທີ່ເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸ semiconductor ປະສົມ Ge, Si ແລະ III ~ V ທີ່ເຮັດວຽກຢູ່ໃນແຖບ microwave.ພວກມັນຖືກນໍາໃຊ້ໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກເຊັ່ນ: radar, ລະບົບສົງຄາມເອເລັກໂຕຣນິກແລະລະບົບການສື່ສານໄມໂຄເວຟ.ການຫຸ້ມຫໍ່ອຸປະກອນໄມໂຄເວຟ discrete ນອກເຫນືອໄປຈາກການສະຫນອງການເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າແລະການປ້ອງກັນທາງກົນຈັກແລະສານເຄມີສໍາລັບຫຼັກແລະ pins, ການອອກແບບແລະການຄັດເລືອກຂອງທີ່ຢູ່ອາໄສຄວນພິຈາລະນາຜົນກະທົບຂອງຕົວກໍານົດການ parasitic ທີ່ຢູ່ອາໄສກ່ຽວກັບລັກສະນະການສົ່ງຜ່ານ microwave ຂອງອຸປະກອນ.ທີ່ຢູ່ອາໄສຂອງໄມໂຄເວຟຍັງເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງວົງຈອນ, ເຊິ່ງຕົວມັນເອງປະກອບເປັນວົງຈອນຂາເຂົ້າແລະຜົນຜະລິດທີ່ສົມບູນ.ດັ່ງນັ້ນ, ຮູບຮ່າງແລະໂຄງສ້າງຂອງທີ່ຢູ່ອາໄສ, ຂະຫນາດ, ອຸປະກອນການ dielectric, ການຕັ້ງຄ່າ conductor, ແລະອື່ນໆຄວນຈະກົງກັບລັກສະນະຂອງ microwave ຂອງອົງປະກອບແລະລັກສະນະການນໍາໃຊ້ວົງຈອນ.ປັດໄຈເຫຼົ່ານີ້ກໍານົດຕົວກໍານົດການເຊັ່ນ: ຄວາມອາດສາມາດ, ຄວາມຕ້ານທານນໍາໄຟຟ້າ, impedance ລັກສະນະ, ແລະ conductor ແລະການສູນເສຍ dielectric ຂອງທີ່ຢູ່ອາໄສທໍ່.

ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບສິ່ງແວດລ້ອມແລະກົນໄກຂອງອົງປະກອບຂອງໄມໂຄເວບ semiconductor ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍການຫລົ້ມຈົມຂອງໂລຫະປະຕູແລະການເຊື່ອມໂຊມຂອງຄຸນສົມບັດຕ້ານທານ.Gate metal sink ແມ່ນເນື່ອງມາຈາກການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນຂອງໂລຫະປະຕູຮົ້ວ (Au) ເຂົ້າໄປໃນ GaAs, ດັ່ງນັ້ນກົນໄກຄວາມລົ້ມເຫຼວນີ້ເກີດຂຶ້ນສ່ວນໃຫຍ່ໃນລະຫວ່າງການທົດສອບຊີວິດເລັ່ງຫຼືການດໍາເນີນງານອຸນຫະພູມສູງທີ່ສຸດ.ອັດຕາການແຜ່ກະຈາຍຂອງໂລຫະປະຕູ (Au) ເຂົ້າໄປໃນ GaAs ແມ່ນຫນ້າທີ່ຂອງຕົວຄູນການແຜ່ກະຈາຍຂອງວັດສະດຸໂລຫະປະຕູຮົ້ວ, ອຸນຫະພູມ, ແລະຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງວັດສະດຸ.ສໍາລັບໂຄງສ້າງເສັ້ນດ່າງທີ່ສົມບູນແບບ, ການປະຕິບັດຂອງອຸປະກອນບໍ່ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບຈາກອັດຕາການແຜ່ກະຈາຍຊ້າຫຼາຍໃນອຸນຫະພູມປະຕິບັດການປົກກະຕິ, ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ອັດຕາການແຜ່ກະຈາຍສາມາດມີຄວາມສໍາຄັນໃນເວລາທີ່ຂອບເຂດຂອງອະນຸພາກມີຂະຫນາດໃຫຍ່ຫຼືມີຄວາມຜິດປົກກະຕິຂອງຫນ້າດິນຫຼາຍ.Resistors ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປໃນ microwave monolithic ວົງຈອນປະສົມປະສານສໍາລັບວົງຈອນຄໍາຄຶດຄໍາເຫັນ, ການກໍານົດຈຸດອະຄະຕິຂອງອຸປະກອນການເຄື່ອນໄຫວ, ການໂດດດ່ຽວ, ການສັງເຄາະພະລັງງານຫຼືການສິ້ນສຸດຂອງ coupling, ມີສອງໂຄງສ້າງຂອງຄວາມຕ້ານທານ: ການຕໍ່ຕ້ານຮູບເງົາໂລຫະ (TaN, NiCr) ແລະແສງສະຫວ່າງ doped GaAs. ຄວາມຕ້ານທານຂອງຊັ້ນບາງໆ.ການທົດສອບສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າການເຊື່ອມໂຊມຂອງຄວາມຕ້ານທານ NiCr ທີ່ເກີດຈາກຄວາມຊຸ່ມຊື່ນແມ່ນກົນໄກຕົ້ນຕໍຂອງຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງມັນ.

2.3 ວົງຈອນປະສົມປະສານແບບປະສົມ
ວົງຈອນປະສົມປະສານແບບປະສົມແບບດັ້ງເດີມ, ອີງຕາມການດ້ານ substrate ຂອງ tape ຄູ່ມືຮູບເງົາຫນາ, ຂັ້ນຕອນການ tape ຄູ່ມືຮູບເງົາບາງແບ່ງອອກເປັນສອງປະເພດຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານປະສົມຮູບເງົາຫນາແລະບາງ hybrid ວົງຈອນປະສົມປະສານ: ບາງແຜ່ນວົງຈອນພິມຂະຫນາດນ້ອຍ (PCB), ວົງຈອນ, ເນື່ອງຈາກວົງຈອນການພິມຢູ່ໃນຮູບແບບຂອງຮູບເງົາຢູ່ໃນພື້ນຜິວກະດານຮາບພຽງທີ່ຈະປະກອບເປັນຮູບແບບ conductive, ຍັງຈັດປະເພດເປັນວົງຈອນປະສົມປະສານປະສົມ.ດ້ວຍການປະກົດຕົວຂອງອົງປະກອບຫຼາຍຊິບ, ວົງຈອນປະສົມປະສານແບບປະສົມແບບປະສົມແບບພິເສດນີ້, ໂຄງສ້າງສາຍໄຟຫຼາຍຊັ້ນທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງມັນແລະເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການຜ່ານຮູ, ໄດ້ເຮັດໃຫ້ອົງປະກອບກາຍເປັນວົງຈອນປະສົມປະສານແບບປະສົມໃນໂຄງສ້າງເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງທີ່ຄ້າຍຄືກັບ substrate ທີ່ໃຊ້. ໃນອົງປະກອບຂອງຫຼາຍຊິບແລະປະກອບມີ: multilayer ຟິມບາງ, multilayer ຮູບເງົາຫນາ, ອຸນຫະພູມສູງຮ່ວມໄຟ, ອຸນຫະພູມຕ່ໍາຮ່ວມກັນ, ຊິລິຄອນ, ຊັ້ນໃຕ້ດິນ multilayer PCB, ແລະອື່ນໆ.

ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງວົງຈອນຄວາມຄຽດທາງດ້ານສິ່ງແວດລ້ອມແບບປະສົມປະສານແບບປະສົມສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບມີຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງວົງຈອນເປີດໄຟຟ້າທີ່ເກີດຈາກການແຕກຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນແລະຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການເຊື່ອມລະຫວ່າງອົງປະກອບແລະຕົວນໍາຟິມຫນາ, ອົງປະກອບແລະຕົວນໍາຟິມບາງໆ, ຊັ້ນໃຕ້ດິນແລະທີ່ຢູ່ອາໄສ.ຜົນກະທົບທາງກົນຈັກຈາກການຫຼຸດລົງຂອງຜະລິດຕະພັນ, ການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນຈາກການດໍາເນີນງານ soldering, ຄວາມກົດດັນເພີ່ມເຕີມທີ່ເກີດຈາກ warpage unevenness ຂອງ substrate, ຄວາມກົດດັນ tensile ຂ້າງຂ້າງຈາກຄວາມບໍ່ສອດຄ່ອງຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງ substrate ກັບໂລຫະແລະອຸປະກອນການຜູກມັດ, ຄວາມກົດດັນກົນຈັກຫຼືຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນທີ່ເກີດຈາກຂໍ້ບົກພ່ອງພາຍໃນຂອງ substrate, ຄວາມເສຍຫາຍທີ່ອາດມີ. ທີ່ເກີດຈາກການເຈາະ substrate ແລະ substrate ຕັດ Crack ຈຸນລະພາກທ້ອງຖິ່ນ, ໃນທີ່ສຸດນໍາໄປສູ່ການຄວາມກົດດັນກົນຈັກພາຍນອກຫຼາຍກ່ວາຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກປະກົດຂຶ້ນຂອງ substrate ceramic ທີ່ຜົນໄດ້ຮັບແມ່ນຄວາມລົ້ມເຫຼວ.

ໂຄງສ້າງຂອງ solder ແມ່ນມີຄວາມອ່ອນໄຫວຕໍ່ກັບຄວາມກົດດັນຂອງວົງຈອນອຸນຫະພູມຊ້ໍາຊ້ອນ, ຊຶ່ງສາມາດນໍາໄປສູ່ຄວາມເຫນື່ອຍລ້າຄວາມຮ້ອນຂອງຊັ້ນ solder, ສົ່ງຜົນໃຫ້ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງພັນທະບັດຫຼຸດລົງແລະຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນເພີ່ມຂຶ້ນ.ສໍາລັບຊັ້ນ solder ທີ່ອີງໃສ່ກົ່ວ, ພາລະບົດບາດຂອງຄວາມກົດດັນວົງຈອນຂອງອຸນຫະພູມເຮັດໃຫ້ຄວາມເມື່ອຍລ້າຄວາມຮ້ອນຂອງຊັ້ນ solder ແມ່ນເນື່ອງມາຈາກສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຂອງທັງສອງໂຄງສ້າງທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ໂດຍ solder ແມ່ນບໍ່ສອດຄ່ອງ, ແມ່ນການຜິດປົກກະຕິຂອງ solder displacement ຫຼື shear deformation, ຫຼັງ​ຈາກ​ທີ່​ຊ​້​ໍ​າ​, ຊັ້ນ solder ກັບ fatigue crack ການ​ຂະ​ຫຍາຍ​ແລະ​ການ​ຂະ​ຫຍາຍ​, ໃນ​ທີ່​ສຸດ​ນໍາ​ໄປ​ສູ່​ຄວາມ​ລົ້ມ​ເຫຼວ fatigue ຂອງ​ຊັ້ນ solder​.
2.4 ອຸປະກອນແຍກແລະວົງຈອນປະສົມປະສານ
ອຸປະກອນແຍກ Semiconductor ຖືກແບ່ງອອກເປັນ diodes, transistors bipolar, MOS field effect tubes, thyristors ແລະ insulated gate bipolar transistors ໂດຍປະເພດກວ້າງ.ວົງຈອນປະສົມປະສານມີລະດັບຄວາມກ້ວາງຂອງການນໍາໃຊ້ແລະສາມາດແບ່ງອອກເປັນສາມປະເພດຕາມຫນ້າທີ່ຂອງເຂົາເຈົ້າ, ຄືວົງຈອນປະສົມປະສານດິຈິຕອນ, ວົງຈອນປະສົມປະສານອະນາລັອກແລະວົງຈອນປະສົມປະສານດິຈິຕອນ-analog ປະສົມປະສານ.

1) ອຸປະກອນແຍກ
ອຸປະກອນທີ່ບໍ່ຊ້ໍາກັນມີປະເພດຕ່າງໆແລະມີຄວາມສະເພາະຂອງຕົນເອງເນື່ອງຈາກຫນ້າທີ່ແລະຂະບວນການທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ມີຄວາມແຕກຕ່າງກັນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນການປະຕິບັດຄວາມລົ້ມເຫລວ.ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ຍ້ອນວ່າອຸປະກອນພື້ນຖານທີ່ສ້າງຂຶ້ນໂດຍຂະບວນການ semiconductor, ມີຄວາມຄ້າຍຄືກັນບາງຢ່າງໃນຟີຊິກທີ່ລົ້ມເຫລວ.ຄວາມລົ້ມເຫຼວຕົ້ນຕໍທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບກົນຈັກພາຍນອກແລະສະພາບແວດລ້ອມທໍາມະຊາດແມ່ນການທໍາລາຍຄວາມຮ້ອນ, avalanche ແບບເຄື່ອນໄຫວ, ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ soldering chip ແລະຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການເຊື່ອມໂລຫະພາຍໃນ.

ການທໍາລາຍຄວາມຮ້ອນ: ການທໍາລາຍຄວາມຮ້ອນຫຼືການທໍາລາຍຂັ້ນສອງແມ່ນກົນໄກຄວາມລົ້ມເຫຼວຕົ້ນຕໍທີ່ມີຜົນກະທົບຕໍ່ອົງປະກອບຂອງພະລັງງານ semiconductor, ແລະຄວາມເສຍຫາຍສ່ວນໃຫຍ່ໃນລະຫວ່າງການໃຊ້ແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບປະກົດການການທໍາລາຍຂັ້ນສອງ.ການແບ່ງຂັ້ນສອງແບ່ງອອກເປັນການແບ່ງຂັ້ນສອງຄວາມລຳອຽງໄປຂ້າງໜ້າ ແລະການແບ່ງຂັ້ນສອງຄວາມລຳອຽງແບບປີ້ນກັບກັນ.ອະດີດສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນຂອງຕົນເອງ, ເຊັ່ນ: ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງ doping ຂອງອຸປະກອນ, ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນພາຍໃນ, ແລະອື່ນໆ, ໃນຂະນະທີ່ອັນສຸດທ້າຍແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບການທະວີຄູນຂອງ avalanche ຂອງບັນທຸກໃນພາກພື້ນຮັບຜິດຊອບພື້ນທີ່ (ເຊັ່ນ: ຢູ່ໃກ້ກັບຕົວເກັບ), ທັງສອງ. ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງກະແສໄຟຟ້າຢູ່ໃນອຸປະກອນສະ ເໝີ.ໃນການນໍາໃຊ້ອົງປະກອບດັ່ງກ່າວ, ຄວນເອົາໃຈໃສ່ເປັນພິເສດຕໍ່ການປ້ອງກັນຄວາມຮ້ອນແລະການລະບາຍຄວາມຮ້ອນ.

Dynamic avalanche: ໃນລະຫວ່າງການປິດແບບເຄື່ອນໄຫວເນື່ອງຈາກກໍາລັງພາຍນອກຫຼືພາຍໃນ, ປະກົດການ ionization collisional collisional ທີ່ຄວບຄຸມໃນປະຈຸບັນທີ່ເກີດຂື້ນພາຍໃນອຸປະກອນທີ່ໄດ້ຮັບອິດທິພົນຈາກຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຟຣີເຮັດໃຫ້ເກີດ avalanche ແບບເຄື່ອນໄຫວ, ເຊິ່ງສາມາດເກີດຂື້ນໃນອຸປະກອນ bipolar, diodes ແລະ IGBTs.

ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ chip solder: ເຫດຜົນຕົ້ນຕໍແມ່ນວ່າຊິບແລະ solder ແມ່ນວັດສະດຸທີ່ແຕກຕ່າງກັນທີ່ມີຕົວຄູນການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງມີຄວາມບໍ່ສອດຄ່ອງກັນຂອງຄວາມຮ້ອນໃນອຸນຫະພູມສູງ.ນອກຈາກນັ້ນ, ການປະກົດຕົວຂອງ voids solder ເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນ, ເຮັດໃຫ້ການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນຮ້າຍແຮງກວ່າເກົ່າແລະປະກອບເປັນຈຸດຮ້ອນຢູ່ໃນທ້ອງຖິ່ນ, ການເພີ່ມອຸນຫະພູມ junction ແລະເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອຸນຫະພູມເຊັ່ນ: electromigration ເກີດຂຶ້ນ.

ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການເຊື່ອມສານຊັ້ນນໍາພາຍໃນ: ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການກັດກ່ອນຢູ່ໃນຈຸດຜູກພັນ, ເຮັດໃຫ້ເກີດການກັດກ່ອນຂອງອາລູມິນຽມທີ່ເກີດຈາກການກະທໍາຂອງໄອນ້ໍາ, ອົງປະກອບ chlorine, ແລະອື່ນໆໃນສະພາບແວດລ້ອມສີດເກືອຮ້ອນແລະຊຸ່ມຊື່ນ.ການກະດູກຫັກຂອງຄວາມເຫນື່ອຍລ້າຂອງອາລູມິນຽມທີ່ເກີດຈາກວົງຈອນອຸນຫະພູມຫຼືການສັ່ນສະເທືອນ.IGBT ໃນຊຸດໂມດູນແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່, ແລະຖ້າມັນຖືກຕິດຕັ້ງໃນທາງທີ່ບໍ່ຖືກຕ້ອງ, ມັນງ່າຍຫຼາຍທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງຄວາມກົດດັນ, ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມເມື່ອຍລ້າຂອງກະດູກຫັກຂອງຜູ້ນໍາພາຍໃນຂອງໂມດູນ.

2) ວົງຈອນປະສົມປະສານ
ກົນໄກຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານແລະການນໍາໃຊ້ສະພາບແວດລ້ອມມີຄວາມສໍາພັນອັນໃຫຍ່ຫຼວງ, ຄວາມຊຸ່ມຊື່ນໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ, ຄວາມເສຍຫາຍທີ່ເກີດຈາກໄຟຟ້າສະຖິດຫຼືກະແສໄຟຟ້າ, ການນໍາໃຊ້ຂໍ້ຄວາມທີ່ສູງເກີນໄປແລະການນໍາໃຊ້ວົງຈອນປະສົມປະສານໃນສະພາບແວດລ້ອມຮັງສີທີ່ບໍ່ມີຮັງສີ. ການເສີມຄວາມຕ້ານທານຍັງສາມາດເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງອຸປະກອນ.

ຜົນກະທົບຂອງການໂຕ້ຕອບກັບອາລູມິນຽມ: ໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ຊິລິໂຄນ, ຊັ້ນ SiO2 ເປັນຮູບເງົາ dielectric ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງ, ແລະອາລູມິນຽມມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ເປັນວັດສະດຸສໍາລັບສາຍເຊື່ອມຕໍ່ກັນ, SiO2 ແລະອາລູມິນຽມທີ່ອຸນຫະພູມສູງຈະເປັນປະຕິກິລິຍາທາງເຄມີ, ດັ່ງນັ້ນຊັ້ນອາລູມິນຽມກາຍເປັນບາງໆ, ຖ້າຊັ້ນ SiO2 ຖືກທໍາລາຍຍ້ອນການບໍລິໂພກປະຕິກິລິຍາ, ຈະເຮັດໃຫ້ການຕິດຕໍ່ໂດຍກົງລະຫວ່າງອາລູມິນຽມແລະຊິລິໂຄນ.ນອກຈາກນັ້ນ, ສາຍນໍາຄໍາແລະສາຍເຊື່ອມຕໍ່ກັນຂອງອາລູມິນຽມຫຼືສາຍຜູກມັດອາລູມິນຽມແລະການຜູກມັດຂອງສາຍທອງນໍາຂອງແກະທໍ່, ຈະຜະລິດການຕິດຕໍ່ພົວພັນ Au-Al.ເນື່ອງຈາກທ່າແຮງທາງເຄມີທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງທັງສອງໂລຫະນີ້, ຫຼັງຈາກການນໍາໃຊ້ໃນໄລຍະຍາວຫຼືການເກັບຮັກສາຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງຂ້າງເທິງ 200 ℃ຈະຜະລິດຄວາມຫລາກຫລາຍຂອງທາດປະສົມ intermetallic, ແລະເນື່ອງຈາກຄວາມຄົງທີ່ຂອງເສັ້ນດ່າງຂອງເຂົາເຈົ້າແລະສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ, ໃນຈຸດຜູກມັດພາຍໃນ. ຄວາມກົດດັນຂະຫນາດໃຫຍ່, conductivity ກາຍເປັນຂະຫນາດນ້ອຍ.

ການກັດກ່ອນໂລຫະ: ສາຍເຊື່ອມຕໍ່ອາລູມິນຽມໃນຊິບແມ່ນມີຄວາມອ່ອນໄຫວຕໍ່ການກັດກ່ອນໂດຍອາຍນ້ໍາໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮ້ອນແລະຊຸ່ມຊື່ນ.ເນື່ອງຈາກການຊົດເຊີຍລາຄາແລະການຜະລິດມະຫາຊົນທີ່ງ່າຍດາຍ, ວົງຈອນປະສົມປະສານຈໍານວນຫຼາຍໄດ້ຖືກຫຸ້ມດ້ວຍຢາງ, ແນວໃດກໍ່ຕາມ, ອາຍນ້ໍາສາມາດຜ່ານ resin ໄປເຖິງການເຊື່ອມຕໍ່ລະຫວ່າງອາລູມິນຽມ, ແລະ impurities ນໍາເອົາມາຈາກພາຍນອກຫຼືລະລາຍໃນ resin ປະຕິບັດກັບອາລູມິນຽມໂລຫະທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ເກີດ. corrosion ຂອງອາລູມິນຽມ interconnects.

ຜົນກະທົບ delamination ທີ່ເກີດຈາກ vapor ນ້ໍາ: IC ພາດສະຕິກເປັນວົງຈອນປະສົມປະສານ encapsulated ກັບພາດສະຕິກແລະວັດສະດຸ polymer resin ອື່ນໆ, ນອກເຫນືອໄປຈາກຜົນກະທົບ delamination ລະຫວ່າງວັດສະດຸພາດສະຕິກແລະກອບໂລຫະແລະ chip (ເອີ້ນວ່າທົ່ວໄປເປັນ "popcorn" ຜົນກະທົບ), ເນື່ອງຈາກວ່າວັດສະດຸ resin ມີລັກສະນະການດູດຊຶມຂອງ vapor ນ້ໍາ, ຜົນກະທົບ delamination ທີ່ເກີດຈາກການ adsorption ຂອງ vapor ນ້ໍາຈະເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນລົ້ມເຫລວ..ກົນໄກການລົ້ມເຫຼວແມ່ນການຂະຫຍາຍນ້ໍາຢ່າງໄວວາໃນອຸປະກອນການຜະນຶກພາດສະຕິກຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ, ດັ່ງນັ້ນການແຍກລະຫວ່າງພາດສະຕິກແລະການຕິດຂອງວັດສະດຸອື່ນໆ, ແລະໃນກໍລະນີທີ່ຮ້າຍແຮງ, ຮ່າງກາຍຜະນຶກພາດສະຕິກຈະແຕກ.

2.5 ອົງປະກອບຕ້ານທານຕໍ່ Capacitive
1) ຕົວຕ້ານທານ
ຕົວຕ້ານທານທີ່ບໍ່ມີລົມທົ່ວໄປສາມາດແບ່ງອອກເປັນສີ່ປະເພດຕາມວັດສະດຸທີ່ແຕກຕ່າງກັນທີ່ໃຊ້ໃນຕົວຕ້ານທານ, ຄືປະເພດໂລຫະປະສົມ, ປະເພດຟິມ, ປະເພດແຜ່ນຫນາແລະປະເພດສັງເຄາະ.ສໍາລັບຕົວຕ້ານທານຄົງທີ່, ໂຫມດຄວາມລົ້ມເຫຼວຕົ້ນຕໍແມ່ນວົງຈອນເປີດ, ການລອຍຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ, ແລະອື່ນໆ;ໃນຂະນະທີ່ສໍາລັບ potentiometers, ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວຕົ້ນຕໍແມ່ນວົງຈອນເປີດ, ພຽງການລອຍລົມພາລາມິເຕີໄຟຟ້າ, ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງສິ່ງລົບກວນ, ແລະອື່ນໆ ສະພາບແວດລ້ອມການນໍາໃຊ້ຍັງຈະນໍາໄປສູ່ການຕ້ານທານອາຍຸ, ເຊິ່ງມີຜົນກະທົບອັນໃຫຍ່ຫຼວງຕໍ່ຊີວິດຂອງອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ.

Oxidation: ການຜຸພັງຂອງຕົວຕ້ານທານຈະເພີ່ມມູນຄ່າການຕໍ່ຕ້ານແລະເປັນປັດໃຈສໍາຄັນທີ່ສຸດທີ່ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມແກ່ຂອງຕົວຕ້ານທານ.ຍົກເວັ້ນອົງປະກອບຕົວຕ້ານທານທີ່ເຮັດດ້ວຍໂລຫະປະເສີດແລະໂລຫະປະສົມ, ວັດສະດຸອື່ນໆທັງຫມົດຈະຖືກທໍາລາຍໂດຍອົກຊີເຈນໃນອາກາດ.Oxidation ເປັນຜົນກະທົບໃນໄລຍະຍາວ, ແລະໃນເວລາທີ່ອິດທິພົນຂອງປັດໃຈອື່ນໆຄ່ອຍໆຫຼຸດລົງ, ການຜຸພັງຈະກາຍເປັນປັດໃຈຕົ້ນຕໍ, ແລະສະພາບແວດລ້ອມທີ່ອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມຊຸ່ມຊື່ນສູງຈະເລັ່ງການຜຸພັງຂອງຕົວຕ້ານທານ.ສໍາລັບຕົວຕ້ານທານຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຕົວຕ້ານທານທີ່ມີມູນຄ່າສູງ, ມາດຕະການພື້ນຖານເພື່ອປ້ອງກັນການຜຸພັງແມ່ນການປ້ອງກັນການຜະນຶກ.ອຸປະກອນການຜະນຶກຄວນຈະເປັນວັດສະດຸອະນົງຄະທາດເຊັ່ນ: ໂລຫະ, ເຊລາມິກ, ແກ້ວ, ແລະອື່ນໆ. ຊັ້ນປ້ອງກັນອິນຊີບໍ່ສາມາດປ້ອງກັນຄວາມຊຸ່ມຊື່ນແລະການ permeability ຂອງອາກາດຢ່າງສົມບູນ, ແລະພຽງແຕ່ສາມາດມີບົດບາດຊັກຊ້າໃນການຜຸພັງແລະການດູດຊຶມ.

Aging of the binder: ສໍາລັບຕົວຕ້ານທານສັງເຄາະອິນຊີ, ການແກ່ອາຍຸຂອງ binder ອິນຊີແມ່ນປັດໃຈຕົ້ນຕໍທີ່ມີຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຕົວຕ້ານທານ.binder ອິນຊີສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນເປັນຢາງສັງເຄາະ, ເຊິ່ງປ່ຽນເປັນໂພລີເມີທີ່ມີຄວາມຮ້ອນທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງໂດຍການປິ່ນປົວຄວາມຮ້ອນໃນລະຫວ່າງຂະບວນການຜະລິດຂອງຕົວຕ້ານທານ.ປັດໃຈຕົ້ນຕໍທີ່ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມແກ່ຂອງໂພລີເມີແມ່ນການຜຸພັງ.ອະນຸມູນອິດສະລະທີ່ເກີດຈາກການຜຸພັງເຮັດໃຫ້ເກີດການຜູກມັດຂອງພັນທະບັດໂມເລກຸນໂພລີເມີ, ເຊິ່ງຊ່ວຍຮັກສາໂພລີເມີແລະເຮັດໃຫ້ມັນເສີຍ, ເຊິ່ງກໍ່ໃຫ້ເກີດການສູນເສຍຄວາມຍືດຫຍຸ່ນແລະຄວາມເສຍຫາຍທາງກົນຈັກ.ການປິ່ນປົວຂອງ binder ເຮັດໃຫ້ resistor ຫຼຸດລົງໃນປະລິມານ, ເພີ່ມຄວາມກົດດັນການຕິດຕໍ່ລະຫວ່າງອະນຸພາກ conductive ແລະການຫຼຸດລົງຂອງຄວາມຕ້ານທານການຕິດຕໍ່, ເຮັດໃຫ້ການຫຼຸດລົງຂອງຄວາມຕ້ານທານ, ແຕ່ຄວາມເສຍຫາຍກົນຈັກຂອງ binder ຍັງເພີ່ມທະວີການຕໍ່ຕ້ານ.ປົກກະຕິແລ້ວການປິ່ນປົວຂອງ binder ເກີດຂຶ້ນກ່ອນ, ຄວາມເສຍຫາຍກົນຈັກເກີດຂຶ້ນພາຍຫຼັງ, ດັ່ງນັ້ນມູນຄ່າການຕໍ່ຕ້ານຂອງຕົວຕ້ານທານສັງເຄາະອິນຊີສະແດງໃຫ້ເຫັນຮູບແບບດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້: ການຫຼຸດລົງບາງໃນຕອນຕົ້ນຂອງຂັ້ນຕອນ, ຫຼັງຈາກນັ້ນຫັນໄປສູ່ການເພີ່ມຂຶ້ນ, ແລະມີແນວໂນ້ມທີ່ຈະເພີ່ມຂຶ້ນ.ນັບຕັ້ງແຕ່ອາຍຸຂອງໂພລີເມີແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງຢ່າງໃກ້ຊິດກັບອຸນຫະພູມແລະແສງສະຫວ່າງ, ຕົວຕ້ານທານສັງເຄາະຈະເລັ່ງການແກ່ອາຍຸພາຍໃຕ້ສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະການສໍາຜັດກັບແສງສະຫວ່າງທີ່ເຂັ້ມແຂງ.

ອາຍຸພາຍໃຕ້ການໂຫຼດໄຟຟ້າ: ການໃຊ້ການໂຫຼດກັບຕົວຕ້ານທານຈະເລັ່ງຂະບວນການອາຍຸຂອງມັນ.ພາຍໃຕ້ການໂຫຼດ DC, ການປະຕິບັດ electrolytic ສາມາດທໍາລາຍຕົວຕ້ານທານຮູບເງົາບາງໆ.Electrolysis ເກີດຂຶ້ນລະຫວ່າງຊ່ອງສຽບຂອງ resistor slotted, ແລະຖ້າຫາກວ່າ substrate resistor ເປັນ ceramic ຫຼືແກ້ວວັດສະດຸປະກອບດ້ວຍ ions ໂລຫະ alkali, ions ຍ້າຍພາຍໃຕ້ການປະຕິບັດຂອງພາກສະຫນາມໄຟຟ້າລະຫວ່າງສະລັອດຕິງ.ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຊຸ່ມຊື່ນ, ຂະບວນການນີ້ດໍາເນີນການຮຸນແຮງຂຶ້ນ.

2) ຕົວເກັບປະຈຸ
ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ capacitors ແມ່ນວົງຈອນສັ້ນ, ວົງຈອນເປີດ, ການເຊື່ອມໂຊມຂອງຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ (ລວມທັງການປ່ຽນແປງຄວາມອາດສາມາດ, ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງການສູນເສຍມຸມ tangent ແລະການຫຼຸດລົງຂອງຄວາມຕ້ານທານ insulation), ການຮົ່ວໄຫລຂອງແຫຼວແລະການທໍາລາຍ corrosion ນໍາ.

ວົງຈອນສັ້ນ: ເສັ້ນໂຄ້ງບິນຢູ່ຂອບລະຫວ່າງເສົາທີ່ອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມດັນອາກາດຕ່ໍາຈະເຮັດໃຫ້ວົງຈອນສັ້ນຂອງ capacitors, ນອກຈາກນັ້ນ, ຄວາມກົດດັນກົນຈັກເຊັ່ນການຊ໊ອກພາຍນອກຍັງຈະເຮັດໃຫ້ວົງຈອນສັ້ນຂອງ dielectric.

ວົງຈອນເປີດ: Oxidation ຂອງສາຍນໍາແລະຕິດຕໍ່ electrode ທີ່ເກີດຈາກສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຊຸ່ມຊື່ນແລະຮ້ອນ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ລະດັບຕ່ໍາໃນການເຂົ້າເຖິງແລະການກັດກ່ອນຂອງ foil ນໍາ anode.
ການເຊື່ອມໂຊມຂອງຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ: ການເຊື່ອມໂຊມຂອງຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າເນື່ອງຈາກອິດທິພົນຂອງສະພາບແວດລ້ອມຊຸ່ມຊື່ນ.

2.6 ວົງຈອນລະດັບກະດານ
ແຜ່ນວົງຈອນພິມສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍ substrate insulating, ສາຍໂລຫະແລະການເຊື່ອມຕໍ່ຊັ້ນທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງສາຍ, ອົງປະກອບ solder "pads".ພາລະບົດບາດຕົ້ນຕໍຂອງມັນແມ່ນການສະຫນອງການຂົນສົ່ງສໍາລັບອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກ, ແລະມີບົດບາດຂອງການເຊື່ອມຕໍ່ໄຟຟ້າແລະກົນຈັກ.

ຮູບແບບຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງແຜ່ນວົງຈອນພິມສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍການເຊື່ອມໂລຫະທີ່ບໍ່ດີ, ເປີດແລະວົງຈອນສັ້ນ, blistering, burst board delamination, corrosion board ດ້ານຫຼື discoloration, ແຜ່ນເຫຼັກ.