R5F100GEAF#10
ຄຸນລັກສະນະ
ເທັກໂນໂລຍີການໃຊ້ພະລັງງານຕໍ່າສຸດ
VDD = ແຮງດັນການສະຫນອງພະລັງງານດຽວຂອງ 1.6 ຫາ 5.5 V
ໂໝດຢຸດ
ໂໝດຢຸດ
ໂໝດ SNOOZE
ຫຼັກ CPU RL78
ສະຖາປັດຕະຍະກໍາ CISC ທີ່ມີທໍ່ 3 ຂັ້ນຕອນ
ເວລາປະຕິບັດຄໍາແນະນໍາຂັ້ນຕ່ໍາ: ສາມາດປ່ຽນແປງໄດ້
ຈາກຄວາມໄວສູງ (0.03125 μs: @ 32 MHz ການດໍາເນີນງານ
ມີ oscillator on-chip ຄວາມໄວສູງ) ເຖິງຄວາມໄວສູງສຸດ
(30.5 μs: @ 32.768 kHz ປະຕິບັດງານກັບລະບົບຍ່ອຍ
ໂມງ)
ພື້ນທີ່ທີ່ຢູ່: 1 MB
ທະບຽນທົ່ວໄປ: (ລົງທະບຽນ 8-bit × 8) × 4
ທະນາຄານ
On-chip RAM: 2 ຫາ 32 KB
ລະຫັດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash
ໜ່ວຍຄວາມຈຳແຟລດລະຫັດ: 16 ຫາ 512 KB
ຂະໜາດບລັອກ: 1 KB
ການຫ້າມລົບລ້າງຕັນແລະການຂຽນຄືນໃຫມ່ (ຄວາມປອດໄພ
ຫນ້າທີ່)
ຟັງຊັນດີບັກເທິງຊິບ
ການຂຽນໂປຼແກຼມດ້ວຍຕົນເອງ (ມີຟັງຊັນ swap boot/flash shield
ຫນ້າຕ່າງຫນ້າຕ່າງ)
Data Flash Memory
ໜ່ວຍຄວາມຈຳແຟລດຂໍ້ມູນ: 4 KB ຫາ 8 KB
Background operation (BGO): ຄໍາແນະນໍາສາມາດເປັນ
ປະຕິບັດຈາກຄວາມຊົງຈໍາຂອງໂຄງການໃນຂະນະທີ່ຂຽນໃຫມ່ໄດ້
ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash ຂໍ້ມູນ.
ຈໍານວນການຂຽນຄືນ: 1,000,000 ເທື່ອ (TYP.)
ແຮງດັນຂອງ rewrites: VDD = 1.8 ຫາ 5.5 V
oscillator on-chip ຄວາມໄວສູງ
ເລືອກຈາກ 32 MHz, 24 MHz, 16 MHz, 12 MHz, 8 MHz,
6 MHz, 4 MHz, 3 MHz, 2 MHz, ແລະ 1 MHz
ຄວາມຖືກຕ້ອງສູງ: +/- 1.0 % (VDD = 1.8 ຫາ 5.5 V, TA = -20
ເຖິງ +85°C)
ປະຕິບັດການອຸນຫະພູມສະພາບແວດລ້ອມ
TA = -40 ຫາ +85°C (A: ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງຜູ້ບໍລິໂພກ, D:
ການນໍາໃຊ້ອຸດສາຫະກໍາ)
TA = -40 ຫາ +105°C (G: ການນໍາໃຊ້ອຸດສາຫະກໍາ)
ການຄຸ້ມຄອງພະລັງງານແລະການທໍາງານການປັບໃຫມ່
ວົງຈອນເປີດ-ເປີດ-ຣີເຊັດໃນຊິບ (POR).
ເຄື່ອງກວດຈັບແຮງດັນໃນຊິບ (LVD) (ເລືອກລົບກວນ ແລະ
ປັບຈາກ 14 ລະດັບ)
ຕົວຄວບຄຸມ DMA (Direct Memory Access) · 2/4 ຊ່ອງ · ຈຳນວນໂມງໃນລະຫວ່າງການໂອນຍ້າຍລະຫວ່າງ 8/16-bit SFR ແລະ RAM ພາຍໃນ: 2 ໂມງ Multiplier ແລະ divider/multiply-accumulator · 16 bits × 16 bits = 32 bits (Unsigned ຫຼື ເຊັນ) · 32 bits ÷ 32 bits = 32 bits (Unsigned) · 16 bits × 16 bits + 32 bits = 32 bits (Unsigned ຫຼື signed) Serial interface · CSI: 2 ຫາ 8 channels · UART/UART (LIN-bus supported) : 2 ຫາ 4 ຊ່ອງ · I2C/Simplified I2C communications : 3 ຫາ 10 channels Timer · 16-bit timer : 8 to 16 channels · 12-bit interval timer: 1 channel · Real-timeclock: 1 channel (ປະຕິທິນ 99 ປີ, ຟັງຊັນປຸກ, ແລະຟັງຊັນແກ້ໄຂໂມງ) · ໂມງຈັບເວລາ: 1 ຊ່ອງ (ໃຊ້ໄດ້ກັບເຄື່ອງສັ່ນສະເທືອນ on-chip oscillator ຄວາມໄວສູງ) A/D converter · ຄວາມລະອຽດ 8/10-bit A/D converter (VDD = 1.6 ຫາ 5.5 V) ການປ້ອນຂໍ້ມູນແບບອະນາລັອກ: 6 ຫາ 26 ຊ່ອງ · ແຮງດັນອ້າງອີງພາຍໃນ (1.45 V) ແລະເຊັນເຊີອຸນຫະພູມ ໝາຍເຫດ 1 ພອດ I/O · ພອດ I/O: 16 ຫາ 120 (N-ch open drain I/O [ທົນແຮງດັນ 6 V]: 0 ຫາ 4, N-ch open drain I/O [VDD withstand voltage Note 2/EVDD withstand voltage Note 3]: 5 ຫາ 25) · ສາມາດຕັ້ງເປັນ N-ch open drain, TTL input buffer, ແລະ on-chip pull-up resistor · ການໂຕ້ຕອບທີ່ມີທ່າແຮງທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. : ສາມາດເຊື່ອມຕໍ່ກັບອຸປະກອນ 1.8/2.5/3 V · On-chip key interrupt function · On-chip clock output/buzzer output controller Other · On-chip BCD (binary-coded decimal) circuit ບັນທຶກ 1. ສາມາດເລືອກໄດ້ເທົ່ານັ້ນ ໃນ HS (ຄວາມໄວສູງຕົ້ນຕໍ) ໂຫມດ 2. ຜະລິດຕະພັນທີ່ມີ 20 ຫາ 52 pins 3. ຜະລິດຕະພັນທີ່ມີ 64 ຫາ 128 pins
